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不同退火温度下Mo/4H-SiC肖特基接触界面特性分析

作者: 董升旭 [1] 白云 [2] 杨成樾 [2] 汤益丹 [1] 陈宏 [1] 田晓丽 [2] 刘新宇 [2]

关键词: 4H-SiC 肖特基接触 X射线光电子能谱(XPS) 退火温度 测试温度 界面态密度

摘要:为研究退火温度对肖特基接触界面特性的影响,在不同温度下测试了不同退火温度处理的Mo/4H-SiC肖特基接触的I-V及C-V特性.根据金属-绝缘层-半导体(MIS)结构二极管模型理论,认为在金属与半导体间存在薄介质层,通过估算介质层电容值,得到了肖特基接触界面态密度(N88)的能级分布情况,N8s约为1012 eV-1·cm-2量级.退火温度升高,N8s的能级分布靠近导带底;测试温度升高,Ns8增加且其能级分布远离导带底.利用X射线光电子能谱(XPS)分析表征肖特基接触界面态化学组分,分析结果证实接触界面存在SiO.SiO组分随退火温度的升高而减少,在退火温度为500℃及以上时检测到Mo-C成分,说明Mo与4H-SiC发生反应.


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