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L波段四通道发射电路芯片的设计与实现

作者: 王鑫华 陈明辉 杨格亮

关键词: 发射芯片 直接上变频 有源RC滤波器 双平衡混频器 四通道 CMOS工艺

摘要:基于有源相控阵雷达的应用,设计了一款四通道的发射芯片,适用于发射1.2~1.4 GHz的射频信号.电路设计采用直接上变频的结构,将低频的基带信号转换为射频信号.针对直接上变频输出谐波多和输出功率低的问题,采用高阶滤波器、窄带选频网络的双平衡混频器和多级可调电压增益放大器(VGA)并联形式的驱动放大器等技术,降低了输出谐波的幅度并提高输出功率.电路采用SMIC 0.13 μm CMOS工艺进行了设计仿真和流片,芯片面积为3.6 mm×3.4 mm.测试结果表明,四通道直接上变频发射芯片的发射功率可达15.4 dBm,动态增益不小于36.3 dB,通道隔离度不小于43.3 dB.芯片的功耗为837.6 mW.


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