九游会在线官网

投稿须知
    我刊是中文核心期刊、中国科技核心期刊。为适应我国信息化建设需要,扩大作者交流渠道,本刊已加入国内外多家数据库:美国化学文摘《CA》、美国剑桥科学文摘《CSA》、美国乌利希国际期刊指南《Ulrich’s》、英国科学文摘《SA,INSPEC》、俄罗斯文摘杂志《AJ》、日本科学技术文献 ...

3D MIM电容器原子层沉积可控生长及电学性能

作者: 穆继亮 [1] 徐方良 [1] 孙雅薇 [2] 李芬 [1] 丑修建 [1]

关键词: 原子层沉积(ALD) 三维结构 金属-绝缘体-金属(MIM)电容器 微电子机械系统(MEMS) 电学性能

摘要:为提高电容器的比电容,设计了基于三维(3D)结构的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器.采用原子层沉积(ALD)技术制备电容器功能薄膜层,通过建立3D结构原子层沉积理论模型,拟舍得到了原子层沉积过程中薄膜覆盖率与3D结构之间的依赖关系.基于该模型优化了工艺参数,制备了不同介质层厚度的电容器,并对器件进行了C-V和I-V特性测试,得到电容器击穿场强和介电常数均值分别为6.68 MV/cm和7.95.同时,制备的3D MIM电容器的比电容达到212.5 fF/μm2,相比常规平面电容器,其电容密度提高了一个数量级.且该电容器击穿场强和介电常数与薄膜厚度之间具有良好的线性关系,表明理论模型合理,实现了基于3D结构的原子层沉积薄膜可控生长.


上一篇: 不同退火温度下Mo/4H-SiC肖特基接触界面特性分析
下一篇: Sence-Switch型pFLASH单元制备及特性

中国电子科技集团公司第十三研究所版权所有 冀ICP备06002023号
地址:石家庄市合作路113号   邮政编码:050051